特許

J-GLOBAL ID：200903003471340515

薄膜の形成方法

発明者： 鳥居 和功 ,  川原 孝昭 ,  小林 伸好
出願人/特許権者： 株式会社半導体先端テクノロジーズ
代理人 (3件)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  大阿久 敦子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-194924
公開番号（公開出願番号）：特開2005-032908
出願日： 2003年07月10日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：

【課題】簡単な装置を用いて、配位子に起因する不純物の濃度を低くすることのできる薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】基板の表面に金属錯体を間欠的に供給して金属錯体を吸着させた後、基板の表面を不活性ガスでパージして過剰の金属錯体を除去する。次に、基板の表面に水素ガスを間欠的に供給し、吸着している金属錯体の配位子を除去した後、基板の表面を不活性ガスでパージして過剰の水素ガスを除去する。その後、基板の表面に酸化性ガスを間欠的に供給し、吸着している金属錯体の末端基を水酸基に変えてから、基板の表面を不活性ガスでパージして過剰の酸化性ガスを除去する。以上の工程を繰り返して行うことによって、所定の膜厚を有する薄膜を形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

原子層化学気相成長法による薄膜の形成方法であって、 基板の表面に金属錯体を間欠的に供給し、前記基板の表面に前記金属錯体を吸着させる第1の工程と、 前記基板の表面を不活性ガスでパージして過剰の前記金属錯体を除去する第2の工程と、 前記基板の表面に水素ガスを間欠的に供給し、吸着している前記金属錯体の配位子を除去する第3の工程と、 前記基板の表面を不活性ガスでパージして過剰の前記水素ガスを除去する第4の工程と、 前記基板の表面に酸化性ガスを間欠的に供給し、吸着している前記金属錯体の末端基を水酸基に変える第5の工程と、 前記基板の表面を不活性ガスでパージして過剰の前記酸化性ガスを除去する第6の工程とを有し、 前記第1の工程から前記第6の工程までを繰り返して行うことにより、前記基板の上に所定の膜厚を有する薄膜を形成することを特徴とする薄膜の形成方法。

IPC (5件)：

H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  H01L21/283 ,  H01L29/78

FI (5件)：

H01L21/316 X ,  C23C16/40 ,  C23C16/44 A ,  H01L21/283 B ,  H01L29/78 301G

Fターム (66件)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA17 ,  4K030BA42 ,  4K030BA43 ,  4K030BA46 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030LA15 ,  4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB21 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD37 ,  4M104DD63 ,  4M104DD84 ,  4M104EE03 ,  4M104EE12 ,  4M104EE16 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F058BA01 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF20 ,  5F058BF24 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA00 ,  5F140AA39 ,  5F140BA01 ,  5F140BA20 ,  5F140BD01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG09 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG34 ,  5F140BG37 ,  5F140BG53 ,  5F140BH14 ,  5F140BH36 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK22 ,  5F140BK29 ,  5F140BK34 ,  5F140CA03 ,  5F140CB04 ,  5F140CF04