特許

J-GLOBAL ID：200903003476906703

半導体レーザの製造方法

発明者： 小林 章朗
出願人/特許権者： 関西日本電気株式会社
代理人 (1件)： 江原 省吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-062785
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267789
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】 一定の露光時間でもって、ウェーハ面内での露光状態の均一化を図って適正な回折格子を形成することにある。【構成】 単一のレーザ光源(13)から照射された所定波長のレーザ光(L)を分光し、それぞれのレーザ分光(L1)(L2)をレジスト膜(9)が被着形成された半導体ウェーハ(10)に一直線上で斜め方向から照射して、レーザ干渉により上記レジスト膜(9)に干渉縞(11)を形成して干渉露光した上で現像する方法において、上記レジスト膜(9)の現像に先立って、レジスト膜(9)に干渉縞(11)を部分的に形成した上でその干渉縞(11)の形成部分以外を単一光の照射により全面露光し、その全面露光領域(P)をウェーハ面中央部(10a)から周辺部(10b)に向けて放射状に減少させるように設定する。

請求項（抜粋）：

単一のレーザ光源から照射された所定波長のレーザ光を分光し、それぞれのレーザ分光をレジスト膜が被着形成された半導体ウェーハに一直線上で斜め方向から照射して、レーザ干渉により上記レジスト膜に干渉縞を形成して干渉露光した上で現像する方法において、上記レジスト膜の現像に先立って、レジスト膜に干渉縞を部分的に形成し、且つ、その干渉縞の形成部分以外を単一光の照射により全面露光し、その全面露光領域をウェーハ面中央部から周辺部に向けて減少するように設定したことを特徴とする半導体レーザの製造方法。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/027