特許
J-GLOBAL ID：200903003477538740
半導体メモリカードおよび半導体メモリカードの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
吉武 賢次
, 橘谷 英俊
, 佐藤 泰和
, 吉元 弘
, 川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-289957
公開番号（公開出願番号）：特開2007-103573
出願日： 2005年10月03日
公開日（公表日）： 2007年04月19日
要約：
【課題】ソケットへの挿入時に接点電極が削られるのを抑制し、接触不良を防止することが可能な半導体メモリカードを提供する。【解決手段】本発明に係る半導体メモリカード100は、外部装置のソケットの接点電極と接続するためのコンタクト端子1が上面の先端側に形成された回路基板2と、この回路基板2の下面に載置され、コンタクト端子1とボンディングワイヤ3で接続された半導体メモリチップ4と、回路基板2表面上で半導体メモリチップ3を封止する第1の樹脂からなる第1の樹脂層5と、コンタクト端子1が形成された部分より少なくとも回路基板2の先端側に設けられ、第1の樹脂のよりも硬度が低い第2の樹脂からなる第2の樹脂層6と、を備える。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
外部装置のソケットと接続して使用する半導体メモリカードであって、
前記ソケットの接点電極と接続するためのコンタクト端子が上面の先端側に形成された回路基板と、
前記回路基板の下面に載置され、前記コンタクト端子と接続された半導体メモリチップと、
前記回路基板表面上に形成され前記半導体メモリチップを封止する第1の樹脂層と、
前記コンタクト端子が形成された部分より少なくとも前記回路基板の先端側に設けられ、前記第1の樹脂よりも硬度が低い第2の樹脂からなる第2の樹脂層と、
を備えることを特徴とする半導体メモリカード。
IPC (2件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
4M109AA02
, 4M109BA04
, 4M109CA10
, 4M109CA21
, 4M109DA05
, 4M109DB15
, 4M109EE01
, 4M109GA03
