特許
J-GLOBAL ID：200903003478932701
半導体単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-316013
公開番号（公開出願番号）：特開平7-144992
出願日： 1993年11月22日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：
【要約】【目的】 チャンバ各部への冷却水流量を調整することによって炉内の温度分布を変化させ、酸素濃度を制御することができるような半導体単結晶の製造方法を提供する。【構成】 冷却水供給装置11から水冷式チャンバを構成するトップチャンバ1、メインチャンバ2、ベースチャンバ3に供給する冷却水の流量を、単結晶9の成長長さに対応して変化させる。引き上げた単結晶に含まれる酸素濃度について、その軸方向部位別変化を調査し、酸素濃度が常に所定の範囲に入るような冷却水の流量を、単結晶の軸方向部位別、各チャンバ別に定める。このようにして定めた冷却条件に従ってチャンバ各部を冷却することにより、炉内温度分布を変化させることができ、直胴部全体にわたって酸素濃度の均一な単結晶を得ることが可能となる。
請求項（抜粋）：
CZ法を用いる半導体単結晶の製造において、水冷式チャンバの各部に供給する冷却水の流量を単結晶の成長長さに対応して変化させることによって前記チャンバから取り去る熱量を制御し、単結晶中に含まれる酸素濃度を均一化することを特徴とする半導体単結晶の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 15/00
, C30B 15/20
, H01L 21/02
