特許
J-GLOBAL ID:200903003480977844

有機金属化合物

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小田島 平吉 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-053249
公開番号(公開出願番号):特開平11-315089
出願日: 1999年03月01日
公開日(公表日): 1999年11月16日
要約:
【要約】 (修正有)【解決手段】第一の配位子として、場合によっては四水素化されていてもよい2-インデニルを含有し、式具体的には、例えばクロロ-2-インデニルジメチルシランを有する遷移金属の有機金属化合物の製造方法【効果】これらの化合物は、オレフィン類の(共)重合のための、特に無定形(共)重合体を製造するための触媒として有用である。
請求項(抜粋):
第一の配位子として、場合によっては四水素化されていてもよい2-インデニルを含有し、式【化1】[式中、Aは、ベンゾ系又はテトラヒドロシクロヘキシル系を表し、Qは、場合によっては四水素化されていてもよい2-インデニル系の置換基として、C1〜C4-アルキル、C6〜C14-アリール、C7〜C10-アラルキル、C1〜C4-アルコキシ、C1〜C4-アルキルチオ、フェノキシ、フェニルチオ、ジ-C1〜C4-アルキル-アミノ、C6〜C14-アリール-C1〜C4-アルキル-アミノ、ジ-C6〜C14-アリール-アミノ、ジベンジルアミノ、トリ-C1〜C4-アルキル-シリル、ジ-C1〜C4-アルキル-ボラニル、フェニル-C1〜C4-アルキル-ボラニル、ジフェニルボラニル、ジ-C1〜C4-アルキル-ホスホリル、ジフェニルホスホリル又はフェニル-C1〜C4-アルキル-ホスホリルを表し、mは、0〜6の範囲の整数を表し、M1は、元素の周期表(メンデレーフ)のIV、V又はVI亜族からの遷移金属であり、Xは、アニオンを表し、nは、M1の原子価と結合状態によって決まる、0〜4の数であり、Yは、-C(R1R2)-、-Si(R1R2)-、-Ge(R1R2)-、-C(R1R2)-C(R3R4)-、-C(R1R2)-Si(R3R4)-及び-Si(R1R2)-Si(R3R4)-(式中、R1、R2、R3及びR4は、それぞれ他から独立に、水素、ハロゲン、直鎖の又は分岐したC1〜C10-アルキル、C5〜C8-シクロアルキル、C6〜C14-アリール又はC7〜C10-アラルキルである)の群からの橋架け基を表し、そしてZは、開鎖の及び環状の、場合によってはアニオン性のπ-電子系、-N(R5)-、-P(R6)-、|N(R5R7)-、|P(R6R8)-、-O-、-S-、|OR5-及び|SR5-(式中、元素記号N、P、O又はSの左の垂直線は、電子対を表し、そしてZとM1の間の結合は、イオン結合性、共有結合性又は配位結合性であり、そしてR5、R6、R7及びR8の各々は、他から独立に、R1〜R4に与えられた意味範囲を有し、そして R5及びR7は追加して-Si(R1R2R3)を表すことができ、 R6及びR8は追加して-Si(R1R2R3)を表わしてもよく、そしてR6及びR8は追加して、-Si(R1R2R3)、-OR1、-SR1又は-N(R1R2)を表すことができる)を含んで成る群からの第二の配位子である]を有する遷移金属の有機金属化合物の製造方法であって、式【化2】(式中、Hal1は、Cl、Br又はIを表し、そしてA、Q及びmは上記で定義した通りである)を有する、場合によっては置換されていてもよい2-ハロインデンを、-20°C〜+120°Cの温度で元素状のMg又はZnと、(II)の1モル当たりMg又はZnが1〜100g-原子の量で反応させそして、未反応のMg又はZnを分離した後、式Hal2-Y-Hal3 (III)(式中、Hal2及びHal3はそれぞれ他から独立にCl、Br又はIであり、そしてYは、上記で与えられた意味範囲を持つ)を有する橋架け基Yの二ハロゲン化物と、(II)の1モル当たり(III)が1〜20モルの量で、MgHal1Hal2又はZnHal1Hal2を除去して反応させ、この際、Yが-Si(R1R2)-、-Ge(R1R2)-又は-Si(R1R2)-Si(R3R4)-を表す場合には、(II)の(i)Mg又はZnとの反応及び(ii)(III)との反応を同時に行うことが可能であり、そして式【化3】(式中、A,Q、m、Y及びHal3は、上記で定義した通りである)を有する反応生成物を、場合によっては単離後に、式 ZM2p (Va) 又は ZR9p (Vb)[式中、M2は、Li、Na、K又は-MgHal4(ここに、Hal4はHal2に与えられた意味範囲を有する)を表し、pは、1又は2の数を表し、R9は、水素、-Si(R1R2R3)又はSn(R1R2R3)であり、そしてZ、R1、R2及びR3は、上記で定義した通りである]を有するZ-誘導体と、式 M2Hal3 (VIa) 又は R9Hal3 (VIb)(式中、 M2、R9及びHal3は、上記で定義した通りである)を有する化合物を除去して、場合によっては補助塩基の存在下で、反応させて、式【化4】(式中、A、Q、m、Y及びZは、上記で定義した通りでありそしてジアニオンの形でも存在することが可能であり、そしてZは更にM2、R9又は電子対を担持することができる)を有する2-インデニル化合物を生成させ、そして次いで、更に式M1Xq (VIII)(式中、M1及びXは上記で定義した通りであり、そしてqは、M1の酸化数によって決まる2〜6の数である)を有する遷移金属化合物と反応させることを特徴とする方法。
IPC (5件):
C07F 17/00 ,  C08F 4/64 ,  C08F 10/00 ,  C08F 32/00 ,  C08F 36/00
FI (5件):
C07F 17/00 ,  C08F 4/64 ,  C08F 10/00 ,  C08F 32/00 ,  C08F 36/00

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