特許
J-GLOBAL ID:200903003482668849
半導体装置の製造装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大胡 典夫 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-058557
公開番号(公開出願番号):特開2000-260683
出願日: 1999年03月05日
公開日(公表日): 2000年09月22日
要約:
【要約】【課題】 真空あるいは減圧雰囲気中において荷電粒子ビーム縮小転写光学系を使用し、高速・高剛性のステージを備えてかつ高精度にマスク上に描かれた回路パターンをウエハ上に転写することが可能な半導体装置の製造装置を提供する。【解決手段】 真空あるいは減圧雰囲気内において、ウエハ18またはマスク2を保持するための手段19、3を備えたステージ17、1を摩擦駆動機構により駆動するステージ機構に、駆動源からの力を摩擦によりステージへ伝える摺動部及び駆動源を冷却するためのヒートシンク10を備え、さらにウエハ18またはマスク2の保持手段に設けられた温度センサ4をもとに、試料と保持手段を所望の温度にするためのヒーター5を備えた半導体装置の製造装置を提供する。
請求項(抜粋):
真空あるいは減圧雰囲気内において、試料を着脱可能に保持するための試料保持手段を備えかつ平面内を自在に走査することが可能なステージと、前記ステージを少なくとも二軸の直交する軌道内に案内するためのステージガイドと、前記ステージガイドに沿って前記ステージを走査するための摩擦駆動機構を具備するステージ機構において、前記摩擦駆動機構部の摺動部及び駆動源を冷却するためのヒートシンクを前記摩擦駆動機構部の取り付け部材に備え、前記摺動部及び駆動源を冷却することが可能であり、前記試料保持手段に設けられた温度センサからの温度情報に基づいて、試料と前記試料保持手段の試料保持部を任意の温度で恒温化することが可能なヒーターを備えることを特徴とする半導体装置の製造装置。
IPC (2件):
H01L 21/027
, G03F 7/20 504
FI (3件):
H01L 21/30 541 L
, G03F 7/20 504
, H01L 21/30 503 A
Fターム (17件):
2H097BA02
, 2H097DA11
, 2H097DB11
, 2H097LA10
, 5F046AA22
, 5F046CC17
, 5F046DA26
, 5F046DB02
, 5F046GA07
, 5F046GA11
, 5F046GA12
, 5F046GA14
, 5F056BA10
, 5F056CB40
, 5F056EA13
, 5F056EA14
, 5F056EA16
引用特許: