特許

J-GLOBAL ID：200903003484498568

半導体加速度センサならびにその検出装置

発明者： 梅田 秀信 ,  日笠 浩一 ,  宇野 圭輔 ,  森田 善之
出願人/特許権者： オムロン株式会社
代理人 (1件)： 松井 伸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-332172
公開番号（公開出願番号）：特開平6-160419
出願日： 1992年11月19日
公開日（公表日）： 1994年06月07日
要約：

【要約】【目的】 特性のばらつきが少ない、しかも加速度の変化に対する出力の直線性の良い半導体加速度センサを提供すること【構成】 P型のシリコンを基本として形成されるシリコン板10の中間の所定位置にn層(拡散層)10aを形成し、P型シリコン側(下側)からその所定部位を電気化学エッチングしてn層に到達するまでP型シリコンを除去し、残ったn層により梁部13を構成する。n層の厚さは正確に制御できるため、梁部の厚さも正確に制御でき、各センサ間での感度のばらつき抑制される。また、各電極面積をS1,S2とし、電極間の距離をd1,d2として、それらが「d2=d1(S2/S1)1/3 」となるように設定することにより、基準状態での出力が、出力特性の変位点に一致する。

請求項（抜粋）：

枠体に対して梁部を介して一体に接続され、加速度に応じて変位する重り部の両面に可動電極が形成された半導体板と、前記両可動電極にそれぞれ所定の間隙をおいて対向させた固定電極を備え、前記半導体板を挟持するように配置されたガラス板等の基板とを備え、前記変位にともない、それぞれ対となる前記可動電極と前記固定電極との間で生じる静電容量の差から加速度を検出する半導体加速度センサであって、前記半導体板が、所定位置に配置されたn層とp層を備え、前記重り部を変位可能に支持する前記梁部の表面の延長部位に前記両層の境界面を位置させてなる半導体加速度センサ。

IPC (3件)：

G01P 15/02 ,  G01P 15/125 ,  H01L 29/84

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-152369
  
• 特開平2-119270
  
• 特開昭61-097572