特許
J-GLOBAL ID：200903003485328429
プラズマCVD装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田中 浩 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-287346
公開番号（公開出願番号）：特開平7-118858
出願日： 1993年10月21日
公開日（公表日）： 1995年05月09日
要約：
【要約】【目的】 常温において非気化物である材料を成膜用原料ガスとして使用したときに安定した成膜速度が得られるようにする。【構成】 下方に加熱ヒータ4を具えた被処理物3を配置した反応室1の側壁2上に絶縁物6および真空パッキン材8を介して、電力を印加する電極5を反応室1の上壁面として気密を保つようにして嵌合し、この反応室1の上部に電極5を囲むように防熱覆い7を設け、この防熱覆い7内に取り付けたシースヒータ13によって電極5を昇温させるとともに、反応室1をも加熱ヒータ14にて加熱するようにして、ガス導入管15から反応室1内に導入され、電極5に印加されたRF電力により分解した原料ガスの反応室壁面への吸着を減じて被処理物3表面への安定した成膜速度が得られるようにした。
請求項（抜粋）：
加熱ヒータを具備する被処理物を配した反応室の側壁上に、絶縁物およびパッキン材を介して電力を印加する電極を上記反応室の上壁面として嵌合し、この反応室の上部に上記電極を囲むように設けた防熱覆い内に、上記電極を加熱する加熱手段を配するとともに、上記反応室の外周に加熱手段を設け、側壁に反応ガス導入管を有してなるプラズマCVD装置。
引用特許：
前のページに戻る
