特許
J-GLOBAL ID：200903003486606996
四状態マスクROMの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-022998
公開番号（公開出願番号）：特開平11-176953
出願日： 1998年02月04日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：
【要約】【課題】 四状態マスクROMを製造する方法を提供する。【解決手段】 メモリデバイスが製造される。第1フォトレジストを使用してチャネル領域をドーピング処理する。第1コーディングステップを実施して2つの異なるしきい値電圧を有するトランジスタを得る。ゲート酸化物層をカバーし,第1フォトレジスト層をエッチングしてバイアホールを形成し,埋設ビットラインが形成される。多結晶シリコン層がゲート酸化物層上に形成される。ソース/ドレイン領域にイオン注入することにより第2多結晶シリコン層をドーピング処理し,第2フォトレジスト層を使用して第2コーディングステップを実施する。2つの異なるしきい値電圧を有するインバーストランジスタが形成される。
請求項１：
以下のステップを特徴とする四状態マスクROMの製造方法:ゲート酸化物層,第1多結晶シリコン層,複数のソース/ドレイン領域,および複数のチャネル領域を有する半導体基板を準備する;マスクとして第1フォトレジスト層を使用して前記チャネル領域の一部に第1コーディングステップを施し前記チャネル領域の一部をドーピング処理する;前記基板上に薄膜トランジスタ酸化物層を形成する;前記ゲート酸化物層と薄膜トランジスタ酸化物層の一部を除去することにより複数のヴァイアホールをパターンニングし前記ソース/ドレイン領域を露出させる;前記薄膜トランジスタ酸化物層上に第2多結晶シリコン層を形成する;マスクを使用してドーパントで前記第2多結晶シリコン層の一部をドーピング処理し複数のドーピング領域を形成する;第2フォトレジスト層をマスクとして使用し,チャネル領域に対応する前記第2多結晶シリコン層の一部をドーパントでドーピング処理して第2コーディングステップを実施する。
IPC (2件)：
H01L 21/8246
, H01L 27/112
