特許
J-GLOBAL ID：200903003487337000
磁気シフト・レジスタ・メモリ・デバイスにおいて用いるデータ・トラックの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
坂口 博
, 市位 嘉宏
, 上野 剛史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-048214
公開番号（公開出願番号）：特開2006-237183
出願日： 2005年02月24日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
要約：
【課題】 磁気シフト・レジスタ・メモリ・デバイスを構築するために必要な磁気データ・トラックを製造する改良した方法を提供する。【解決手段】 磁気データ・トラックは、交互の誘電体および/またはシリコン層の多層スタックを形成することによって製造することができる。この交互の層の多層スタックに、約10ミクロンの高さで、縦が約100nmで横が約100nmの断面を有するバイアをエッチングする。交互のタイプの強磁性体またはフェリ磁性体金属の層を電気めっきすることによって、バイアを充填する。交互の強磁性体またはフェリ磁性体層は、異なる磁化または磁気交換または磁気異方性を有する磁気材料から成る。これらの異なる磁気特性によって、これらの層の間の境界に磁壁を固定することができる。磁壁は、バイアの壁に沿ってノッチまたは突出に生じる強磁性体または強磁性体材料における切れ目によって形成される。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
データ・トラックを備えた磁気シフト・レジスタを製造する方法であって、
絶縁体基板にトレンチをエッチングするステップと、
前記トレンチにトレンチ材料を充填して中央領域を形成するステップと、
前記絶縁体基板および前記トレンチ材料の上に多層スタック構造を形成するステップと、
前記多層スタック構造を貫通するように2つのバイアを形成して前記中央領域を露呈させるステップと、
前記2つのバイアに磁気材料を充填してデータ領域および蓄積部を形成し、これによって前記データ領域、前記中央領域、および前記蓄積部が前記データ・トラックを形成するようにするステップと、
を備えることを特徴とする、方法。
IPC (4件)：
H01L 27/105
, H01L 21/824
, H01F 10/16
, H01L 29/82
H01L27/10 447
, H01F10/16
, H01L29/82 Z
5E049AA01
, 5E049AA04
, 5E049AA07
, 5E049BA06
, 5F083FZ10
