特許
J-GLOBAL ID：200903003489647758
高電気抵抗及び高熱伝導再結晶SiC焼結体及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡邉 一平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-072644
公開番号（公開出願番号）：特開平11-071177
出願日： 1998年03月20日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：
【要約】【課題】 再結晶SiCセラミックスの抵抗率を大きくし、電気絶縁体的な性質を付与するとともに、熱伝導率を大幅に向上することができ、再結晶SiCの長所である強度、耐食性をそのまま維持することができる再結晶SiC焼結体及びその製造方法を提供する。【解決手段】 0.01〜2wt%のSiO2と99.99〜98wt%のSiCから実質的になる再結晶SiC焼結体であって、その抵抗率が500〜50000Ω・cmに制御されているものである。炉の有効体積(加熱域)の0.01〜10倍の不活性ガスを毎分流しながら、0.01〜2atmの圧力下で、2Hr以上かけて2000°Cまで昇温し、その後0.5〜2atmの圧力下で、2000〜2500°Cの温度に昇温する。
請求項（抜粋）：
0.01〜2wt%のSiO2と99.99〜98wt%のSiCから実質的になる再結晶SiC焼結体であって、その抵抗率が500〜50000Ω・cmに制御されていることを特徴とする再結晶SiC焼結体。
IPC (4件)：
C04B 35/565
, C04B 35/64
, H01L 21/68
, H01L 23/373
C04B 35/56 101 A
, H01L 21/68 N
, C04B 35/56 101 S
, C04B 35/64 C
, H01L 23/36 M
