特許
J-GLOBAL ID：200903003497824219
X線撮像装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 邦夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-019594
公開番号（公開出願番号）：特開平11-218857
出願日： 1998年01月30日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：
【要約】【課題】X線画像信号のS/Nを高める。【解決手段】電荷生成量に比例した値Qa(=ρ×W/Eg)と、電荷捕集効率に対応した値Cb(=μ×τ×E/L)との積Xがある範囲内にあるように、光導電物質、光導電層の厚み、光導電層に印加する電圧(電界)などを選定する。光導電物質を選ぶことによってX線吸収率が高く、光導電性が良好になって充分な電荷生成量となる。光導電性の厚みと印加電圧を適宜選定することで発生電荷を効率よく捕集できる。これでX線像に対応した画像信号の出力レベルが大きくなり、これによってS/Nが改善されて高画質となる。X線撮像パネル12は基板40上に形成された光導電性を有する光導電層57と、2次元的に配列された蓄積用コンデンサ24とスイッチング素子26とでX線像を電気信号に変換する変換セル20が構成される。
請求項（抜粋）：
人体等の被写体を透過したX線が投影されるX線撮像装置であって、 この撮像装置は、X線の入射によって電荷を生成する光導電層と、生成された電荷を捕集、蓄積する電荷蓄積用コンデンサと、蓄積された電荷を画像信号として取り出すスイッチング素子とが設けられた2次元のX線撮像パネルを有し、このX線撮像パネルに所定の電圧を印加して入射したX線によって生成された電荷を分離して、X線像を画像信号に直接変換するようになされると共に、電界強度E、光導電層の厚みLなどが次式を満足するようになされたことを特徴とするX線撮像装置。(ρ×W/Eg)×(μ×τ×E/L)=4×104〜5×107ここに、ρ:X線吸収率(単位なし)W:吸収X線の平均エネルギー(eV)Eg:光導電物質のバンドギャップ(eV)μ×τ:電荷のモビリティーと寿命の積で、電子と正孔のうち大きい方(cm2×V-1)E:光導電層に印加される電界強度(V×cm-1)L:光導電層の厚み(cm)である。
IPC (5件)：
G03B 42/02
, A61B 6/00 300
, G01T 1/00
, G01T 1/24
, H04N 5/32
G03B 42/02 B
, A61B 6/00 300 Q
, G01T 1/00 B
, G01T 1/24
, H04N 5/32
