特許

J-GLOBAL ID：200903003498402288

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： 原田 裕次 ,  畠山 潤 ,  河合 義夫 ,  笹子 勝 ,  遠藤 政孝 ,  岸村 眞治 ,  前田 一彦 ,  大谷 充孝 ,  小森谷 治彦
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社 ,  松下電器産業株式会社 ,  セントラル硝子株式会社
代理人 (3件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-233194
公開番号（公開出願番号）：特開2004-067975
出願日： 2002年08月09日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：

【解決手段】式(1-1)又は(1-2)で表される繰り返し単位を含む重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】(R1〜R3はH、F又はアルキル基又はフッ素化されたアルキル基。R4は単結合又はアルキレン基又はフッ素化されたアルキレン基。R5は単結合又はアルキレン基又はフッ素化されたアルキレン基。R6は単結合又はアルキレン基又はフッ素化されたアルキレン基。R7はH又は酸不安定基。R8はフッ素化されたアルキル基。aは1又は2、bは0〜4の整数、cは0〜4の整数、1≦a+b+c≦4。)【効果】本発明のレジスト材料は、レジストの透明性、密着性、現像液浸透性が向上し、それと同時に優れたプラズマエッチング耐性を有するレジスト材料となり得るもので、パターンを容易に形成でき、このため超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。【選択図】 なし

請求項１：

下記一般式(1-1)又は(1-2)で表される繰り返し単位を含むことを特徴とする重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。

IPC (6件)：

C08F28/02 ,  C08F212/14 ,  C08F220/12 ,  C08F232/00 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

FI (6件)：

C08F28/02 ,  C08F212/14 ,  C08F220/12 ,  C08F232/00 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R

Fターム (39件)：

2H025AA04 ,  2H025AA09 ,  2H025AA14 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AB07S ,  4J100AL08T ,  4J100AP01P ,  4J100AP01Q ,  4J100AR11R ,  4J100AR21R ,  4J100BA04Q ,  4J100BA07S ,  4J100BA08S ,  4J100BA55P ,  4J100BB07P ,  4J100BB07Q ,  4J100BB07S ,  4J100BB07T ,  4J100BB10R ,  4J100BB17P ,  4J100BB17Q ,  4J100BB17R ,  4J100BB17T ,  4J100BC04P ,  4J100BC04Q ,  4J100BC43P ,  4J100BC43Q ,  4J100BC55Q ,  4J100CA03 ,  4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ポジ型フォトレジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-240600   出願人：富士写真フイルム株式会社

審査官引用 (1件)

• ポジ型フォトレジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-240600   出願人：富士写真フイルム株式会社