特許

J-GLOBAL ID：200903003500033864

ポリパーフルオロアルキレンシロキサン樹脂とその製造方法および層間絶縁膜の製造方法

発明者： 福山 俊一 ,  中田 義弘 ,  小林 倫子 ,  大倉 嘉之
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-282845
公開番号（公開出願番号）：特開平7-133350
出願日： 1993年11月12日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：

【要約】【目的】 半導体集積回路を構成する層間絶縁膜に関し、耐酸素ドライエッチング性と平坦性と耐熱性に優れた絶縁材料を提供することを目的とする。【構成】 次の一般式〔(O2 RSiCX F2XRSi)n 、但し、Rは炭素数が1〜3のパーフルオロアルキル基,x は1〜3,n は10〜1000〕で表わされるポリパーフルオロアルキレンシロキサンまたはポリパーフルオロシルアルキレンシロキサンを層間絶縁材料として用い、この溶液を配線層基板上に塗布して樹脂膜を形成した後、この樹脂膜を150 〜300 °Cに加熱して平坦化し、次いで、400 °C以上に加熱して樹脂膜を硬化させることを特徴として層間絶縁膜を構成する。

請求項（抜粋）：

次の一般式(1)で表されるポリパーフルオロアルキレンシロキサン樹脂。 (O2 RSiCX F2XRSi)n ・・・・・・・(1)但し、Rは炭素数が1〜3のパーフルオロアルキル基,x は1〜3,n は10〜1000を示す。

IPC (5件)：

C08G 77/24 NUH ,  C08G 77/50 NUM ,  C09D183/14 PMS ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/768