特許

J-GLOBAL ID：200903003502923115

磁気抵抗効果膜

発明者： 前田 篤志 ,  山野 耕治
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 目次 誠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-187589
公開番号（公開出願番号）：特開平10-032119
出願日： 1996年07月17日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：

【要約】【課題】 スピンバルブ構造を有する磁気抵抗効果膜において、従来より高いMR比を示す磁気抵抗効果膜を得る。【解決手段】 反強磁性層2,3、強磁性層4,5、非磁性導電層6及び強磁性層7,8をこの順序で備える磁気抵抗効果膜において、反強磁性層としてNiO層2とNiCoO層3の積層膜であり、NiCoO層が強磁性層側に設けられている積層膜を用いることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

反強磁性層、強磁性層、非磁性導電層及び強磁性層をこの順序で備える磁気抵抗効果膜において、前記反強磁性層がNiO層とNiCoO層の積層膜であり、NiCoO層が前記強磁性層側に設けられていることを特徴とする磁気抵抗効果膜。

IPC (3件)：

H01F 10/08 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08

FI (3件)：

H01F 10/08 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08 Z