特許
J-GLOBAL ID：200903003503725112
半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-276440
公開番号（公開出願番号）：特開2007-088285
出願日： 2005年09月22日
公開日（公表日）： 2007年04月05日
要約：
【課題】 簡便な方法により、エピタキシャル層に生じる結晶悪化の影響を排除することができるためスループットが向上するとともに、しきい値電流、スロープ効率、および素子寿命等の特性が安定した半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 本発明に係る半導体レーザ素子の製造方法は、半導体基板表面または半導体基板上の膜表面に回折格子を形成する工程と、前記回折格子表面にエピタキシャル層を形成して多層膜を形成する工程と、を含む半導体レーザ素子の製造方法である。前記回折格子を形成する前記工程は、半導体レーザ素子の共振器方向に直交する方向における前記回折格子の幅を、メサ幅+30μm以上となるように前記回折格子を形成する工程である。【選択図】 図5
請求項１：
半導体基板表面または前記半導体基板上の膜表面に回折格子を形成する工程と、
前記回折格子表面にエピタキシャル層を形成して多層膜を形成する工程と、を含む半導体レーザ素子の製造方法であって、
前記回折格子を形成する前記工程は、前記半導体レーザ素子の共振器方向に直交する方向における前記回折格子の幅を、メサ幅+30μm以上となるように前記回折格子を形成する工程である、半導体レーザ素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01S 5/12
, H01S 5/125
, H01S 5/026
H01S5/12
, H01S5/125
, H01S5/026 610
5F173AA08
, 5F173AA27
, 5F173AB03
, 5F173AB14
, 5F173AB28
, 5F173AD12
, 5F173AH14
, 5F173AP05
, 5F173AP32
, 5F173AP33
, 5F173AP75
, 5F173AQ10
, 5F173AR82
, 5F173AR92
, 5F173AR93
