特許
J-GLOBAL ID：200903003509356879
MOS制御ダイオード
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-292906
公開番号（公開出願番号）：特開平6-236990
出願日： 1993年11月24日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 MOS制御ダイオードであって、大電力で使用可能な素子を簡単に製造すること。【構成】 p+ 層5とn- 層4とn+ 層9とから成るMOS制御ダイオード1が開示されている。n+ 層9を完全に囲むp領域8がn- 層4とn+ 層9との間に設けられている。p領域8は、その上に設けられているゲート電極に電圧をかけることによって橋絡され得る。その結果、該ダイオードは、通常阻止状態から伝導状態へと変化する。該ダイオードは、カソード側のエッジ終端によって高い阻止能力を備えることが出来る。アノード側のエッジ終端15は逆阻止ダイオードをもたらし、アノード側の短絡回路14は逆伝導ダイオードをもたらす。
請求項（抜粋）：
a) 二つの主面(2、3)の間に設けられていて、第1のn- 電荷キャリヤー層(4)と第2のp+ 電荷キャリヤー層(5)とから形成されるpn接合と、b) カソード・メタライゼーション(11)と第1のn- 電荷キャリヤー層(4)との間に設けられていて、該カソード・メタライゼーション(11)と電気的に接触するn+ 領域(9)と、c) 第2の主面(3)に設けられていて、第2の電荷キャリヤー層(5)に電気的に結合されているアノード・メタライゼーション(12)とを有する半導体ダイオードであって、d) n+ 領域(9)とn- 電荷キャリヤー層(4)との間にp領域(8)が設けられており、e) p領域(8)をn伝導チャネルを介して短絡する手段が第1の主面(2)に設けられており、チャネルは該n+ 領域(9)をn- 電荷キャリヤー層(4)に結合することを特徴とする半導体ダイオード。
IPC (2件)：
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