半導体基材の加工方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：丸島儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-016524
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218053
出願日： 1992年01月31日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】単結晶表面を結晶性、表面平坦性が単結晶ウエハー並に優れた状態に加工するうえで、生産性、均一性、制御性、コストの面において卓越した半導体基材の加工方法を提案する。【構成】表面に単結晶を有する基体を該単結晶の融点以下の温度において還元性雰囲気中で熱処理することを特徴とする半導体基材の加工方法。

請求項（抜粋）：