特許
J-GLOBAL ID：200903003513228982
シリコン薄膜の形成方法及びシリコン薄膜の形成装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 詔男 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-339130
公開番号（公開出願番号）：特開平11-176752
出願日： 1997年12月09日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：
【要約】【課題】 シリコンの気化を抑制することにより、光透過窓の透過率の低下を防いで、再現性の高いシリコン薄膜の形成方法を提供し、また、製造コスト及び装置維持コストの低減が可能なシリコン薄膜の形成装置を提供する。【解決手段】 非晶質シリコン薄膜111aが表面に形成された基板111を収納する密閉容器105と、非晶質シリコン薄膜111aに照射されて非晶質シリコン薄膜111aを所定の熱処理温度まで加熱するための光103を発振する光源101と、密閉容器105に設けられ、光源101からの光103を透過して密閉容器105内に導入するための光透過窓106と、密閉容器105の圧力が、熱処理温度におけるシリコン蒸気圧よりも高くなるように密閉容器105の圧力を制御する制御手段122とを具備することを特徴とするシリコン薄膜の形成装置121を採用する。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された非晶質シリコン薄膜に光を照射して、前期非晶質シリコン薄膜を所定の熱処理温度まで加熱して結晶質シリコン薄膜を得るシリコン薄膜の形成方法において、前記光の照射が前記熱処理温度におけるシリコンの蒸気圧よりも高い圧力の雰囲気中で行なうことを特徴とするシリコン薄膜の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/20
, H01L 21/26
, H01L 21/205
H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01L 21/26 G
