特許
J-GLOBAL ID:200903003516464407

半導体装置配線シード層形成用銅合金スパッタリングターゲットおよび半導体装置配線シード層

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 富田 和夫 ,  鴨井 久太郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-201572
公開番号(公開出願番号):特開2004-193551
出願日: 2003年07月25日
公開日(公表日): 2004年07月08日
要約:
【課題】LSIなどの半導体装置における配線となる薄膜をメッキにより形成する際の下地層となるシード層形成用スパッタリングターゲットおよびそのターゲットを用いて形成したシード層に関するものである。【解決手段】Cr:0.03〜0.3質量%、Zr:0.005〜0.1質量%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金からなる。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
Cr:0.03〜0.3質量%、Zr:0.005〜0.1質量%を含み、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金からなることを特徴とする半導体装置配線シード層形成用銅合金スパッタリングターゲット。
IPC (5件):
H01L21/285 ,  C22C9/00 ,  C23C14/34 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205
FI (5件):
H01L21/285 S ,  C22C9/00 ,  C23C14/34 A ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/88 M
Fターム (35件):
4K029AA06 ,  4K029BA08 ,  4K029BA21 ,  4K029BC03 ,  4K029BD02 ,  4K029CA05 ,  4K029DC04 ,  4K029DC08 ,  4K029DC34 ,  4K029DC39 ,  4M104BB04 ,  4M104BB17 ,  4M104BB32 ,  4M104BB38 ,  4M104DD37 ,  4M104DD40 ,  4M104DD52 ,  4M104DD75 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104HH01 ,  4M104HH02 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033LL09 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ48 ,  5F033WW04 ,  5F033XX05 ,  5F033XX06
引用特許:
審査官引用 (1件)

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