特許

J-GLOBAL ID：200903003521770753

半導体装置、その製造方法、及びスペーサの製造方法

発明者： 鈴木 幸俊
出願人/特許権者： ヤマハ株式会社
代理人 (2件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-375836
公開番号（公開出願番号）：特開2007-178221
出願日： 2005年12月27日
公開日（公表日）： 2007年07月12日
要約：

【課題】音圧センサチップ等の半導体チップを備える半導体装置において、製造効率の向上及び製造コストの削減を図りながら、半導体チップに備えるダイヤフラムの振動特性の変化を抑制できるようにする。【解決手段】回路基板3と、該回路基板3の表面3a上に配され、圧力変動に応じて振動する薄膜状のダイヤフラム9aを備えた半導体チップ9と、前記回路基板3及び前記半導体チップ9の間に固定された略板状のスペーサ5とを備え、前記スペーサ5に、前記回路基板3の表面3aと前記ダイヤフラム9aとを互いに対向させる貫通孔17が形成されていることを特徴とする半導体装置1を提供する。【選択図】図1

請求項１：

回路基板若しくは回路が組み込まれたパッケージと、該回路基板若しくは前記パッケージの表面上に配され、圧力変動に応じて振動する薄膜状のダイヤフラムを備えた半導体チップと、前記回路基板若しくは前記パッケージ及び前記半導体チップの間に固定された略板状のスペーサとを備え、 前記スペーサに、前記回路基板若しくは前記パッケージの表面と前記ダイヤフラムとを互いに対向させる貫通孔が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

G01H 11/06 ,  H01L 25/16 ,  G01L 9/00 ,  H01L 29/84

FI (4件)：

G01H11/06 ,  H01L25/16 A ,  G01L9/00 301G ,  H01L29/84 Z

Fターム (22件)：

2F055AA40 ,  2F055BB14 ,  2F055CC02 ,  2F055DD04 ,  2F055EE40 ,  2F055FF16 ,  2F055GG11 ,  2G064AB13 ,  2G064BA02 ,  2G064BA14 ,  4M112AA06 ,  4M112BA07 ,  4M112CA01 ,  4M112CA03 ,  4M112CA15 ,  4M112EA11 ,  4M112EA14 ,  4M112FA20 ,  4M112GA01 ,  5D021CC15 ,  5D021CC19 ,  5D021CC20

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 小型シリコンコンデンサマイクロフォンおよびその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-546465   出願人：ノウレスエレクトロニクス,リミテッドライアビリティカンパニー