特許
J-GLOBAL ID：200903003523301289

発光ダイオード

発明者：
キム、ファ モク

キム、ファ モク について

, 
キム、デ ウォン

キム、デ ウォン について

, 
カル、デ ソン

カル、デ ソン について


出願人/特許権者：
ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド

ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド について


代理人 (4件)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠 ,  本田 淳 ,  池上 美穂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-196779
公開番号（公開出願番号）：特開2009-111342
出願日： 2008年07月30日
公開日（公表日）： 2009年05月21日
要約：
【課題】 p型電極パッドの下方に、光の吸収、及びそれによる光損失を減らし、自身の周辺に光を拡散させることができるDBR(Distributed Bragg Reflector)を備える発光ダイオードを提供すること。【解決手段】 n型半導体層、活性層、p型半導体層、及び透明電極層を備える発光ダイオードが開示される。開示された発光ダイオードは、p型半導体層と透明電極層との間に介在されるトンネル層と、前記トンネル層を上側に露出させるように、前記透明電極層に形成された開口部と、前記開口部内に形成されるDBRと、前記開口部内のDBRを覆うように、前記透明電極層上に形成される電極パッドと、を備える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
n型半導体層、活性層、p型半導体層、及び透明電極層を含む発光ダイオードであって、 前記p型半導体層と前記透明電極層との間に介在されるトンネル層と、 前記トンネル層又はそのトンネル層の下方のp型半導体層を上側に露出させるように、前記透明電極層に形成された開口部と、 前記開口部内に形成されるDBR(Distributed Bragg Reflector)と、 前記開口部内のDBRを覆うように、前記透明電極層上に形成される電極パッドと、 を備えることを特徴とする発光ダイオード。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (2件)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 C
Fターム (9件)：
5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CB15
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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