特許
J-GLOBAL ID:200903003523816262

転写銅箔用銅被覆ポリイミド基板の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鴨田 朝雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-331415
公開番号(公開出願番号):特開平8-167770
出願日: 1994年12月12日
公開日(公表日): 1996年06月25日
要約:
【要約】【目的】 ポリイミド基材にラミネートするための10μm以下の薄い銅箔を、ポリイミド樹脂を支持体とした銅被覆ポリイミド基板により供給することができ、ポリイミド系接着剤によるラミネート時の耐熱性を有し、さらに、ラミネート時、該銅被覆ポリイミド基板の銅とポリイミド樹脂の界面における密着強度が低下し、接着剤を有するポリイミド基材の方に容易に銅箔を転写できる銅被覆ポリイミド基板を提供する。【構成】 抱水ヒドラジンあるいは抱水ヒドラジンとアルカリ金属水酸化物を含有する水溶液によりポリイミド樹脂の少なくとも一表面をエッチング処理し、無電解めっきのための触媒を付与し、ニッケルあるいはコバルトまたはそれらの合金の被膜を無電解めっき法により形成した後、不活性雰囲気中で熱処理し、その後銅の無電解めっきあるいは電気めっきにより銅層を形成する。
請求項(抜粋):
抱水ヒドラジンを0.3〜10mol/l含有する水溶液によりポリイミド樹脂の少なくとも一表面をエッチング処理し、無電解めっきのための触媒を付与し、ニッケルあるいはコバルトまたはそれらの合金の被膜を無電解めっき法により形成した後、不活性雰囲気中で熱処理し、その後銅の無電解めっきあるいは電気めっきにより銅層を形成することを特徴とする転写銅箔用銅被覆ポリイミド基板の製造方法。
IPC (2件):
H05K 3/20 ,  C23C 18/22

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