特許

J-GLOBAL ID：200903003523816955

非単結晶半導体薄膜の製造方法

発明者： 佐々木 敏明
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-231988
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074201
出願日： 1997年08月28日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：

【要約】【課題】反応室に導入した原料ガスを高周波グロー放電プラズマで分解して非単結晶半導体薄膜を製造する方法において、製膜速度の高速化と膜特性の向上を図る。【解決手段】第一電極と、基板を設置する第二電極を備え、第一電極と第二電極2に位相差を100〜260°、望ましくは120〜240°の範囲に制御した高周波電圧を同時に印加する。特に、第一電極と第二電極とに位相を反転した高周波電圧を同時に印加し、第二電極に印加する電力を、高周波電力の和の5〜90%、望ましくは15〜70%とする。更に、第二電極、或いは第二電極と第一電極とを加熱することによって、製膜中の粉の発生を抑制して、非単結晶薄膜の膜特性を改善できる。

請求項（抜粋）：

反応室に導入した原料ガスを高周波グロー放電プラズマで分解して非単結晶半導体薄膜を製造する方法において、第一電極と、基板を設置可能な第二電極を備え、基板を設置する第二電極を接地せず、第一電極と第二電極に位相差を制御して高周波電圧を同時に印加することを特徴とする非単結晶半導体薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 31/04 V

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-215982
  
• 特開平4-346670
  
• 特開平1-227427
  
• 特開昭62-130513