特許

J-GLOBAL ID：200903003525089651

半導体ウェーハ並びにそれを用いた半導体デバイス及びその製造方法

発明者： 田中 英行
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-129133
公開番号（公開出願番号）：特開2001-313381
出願日： 2000年04月28日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 ウェーハ接着の再現性を高め、半導体デバイスの歩留まりを向上させる。【解決手段】 複数の半導体ウェーハが張り合わされている、半導体ウェーハ11の多層構造において、半導体ウェーハにチップサイズの間隔で接着界面に達する穴14があけられている構成を有している。上記構成によって、この穴がガス抜き穴として働くため、密着を高めるための熱処理時に接着界面15で発生するガスが半導体ウェーハ外に効果的に抜ける。その結果、ガスが抜けきらないことにより発生するボイドが接着界面15に発生しにくくなり、接着の再現性が高まりデバイスの歩留まりが向上する。

請求項（抜粋）：

所定の方向に第一の間隔をおいて少なくとも2つの貫通穴を有する貫通穴列を、前記所定の方向と垂直な方向に第二の間隔をおいて互いに平行に少なくとも2列具備する半導体ウェーハ。

IPC (8件)：

H01L 27/12 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/00 330 ,  B26F 3/00 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/301 ,  H01L 29/205 ,  B23K101:40

FI (9件)：

H01L 27/12 B ,  B23K 26/00 H ,  B23K 26/00 330 ,  B26F 3/00 G ,  H01L 21/02 B ,  H01L 29/205 ,  B23K101:40 ,  H01L 21/78 L ,  H01L 21/78 U

Fターム (6件)：

3C060AA10 ,  3C060CE21 ,  3C060CE24 ,  4E068AA01 ,  4E068AF01 ,  4E068DA10