特許

J-GLOBAL ID：200903003526601984

半導体製造装置、及び半導体装置の製造方法

発明者： 舟橋 倫正
出願人/特許権者： トレセンティテクノロジーズ株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-305605
公開番号（公開出願番号）：特開2005-079212
出願日： 2003年08月29日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：

【課題】 シリコン窒化膜等に適用できるウエットエッチングを枚葉処理できるようにする。【解決手段】 ウエハWを枚葉毎にウエハ保持手段10で保持し、ウエハWの積層膜上に、エッチング液供給手段20によりエッチング液を供給する。供給されたエッチング液に電磁波加熱手段30により電磁波を照射して、エッチング液を短時間で高温にして、高いエッチングレートで積層膜のウエットエッチングを行う。枚葉処理に適う処理時間でウエットエッチングが行える。使用済みのエッチング液は、リサイクル手段40で回収し、濃度調整を行った上で新たなウエットエッチングに使用すればよい。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

積層膜が形成されたウエハを1枚保持するウエハ保持手段と、 前記積層膜の上に前記積層膜をエッチングするエッチング液を供給するエッチング液供給手段と、 前記積層膜の上に供給された前記エッチング液を電磁波の照射により加熱する電磁波加熱手段とを有することを特徴とする半導体製造装置。

IPC (1件)：

H01L21/306

FI (1件)：

H01L21/306 J

Fターム (18件)：

5F043AA35 ,  5F043BB23 ,  5F043DD07 ,  5F043EE10 ,  5F043EE21 ,  5F043EE22 ,  5F043EE23 ,  5F043EE24 ,  5F043EE25 ,  5F043EE27 ,  5F043EE28 ,  5F043EE29 ,  5F043EE30 ,  5F043EE31 ,  5F043EE33 ,  5F043EE35 ,  5F043FF01 ,  5F043GG05