特許
J-GLOBAL ID：200903003527427970
トレンチ分離構造を備えた半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-132205
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321134
出願日： 1996年05月27日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：
【要約】【課題】 逆狭チャネル効果の発生を抑制したトレンチ分離構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 トレンチ6に埋め込み形成した絶縁膜8の上に、ゲート酸化膜21を介在させてゲート電極22を設けることにより、シリコン基板1の主表面の活性領域間を分離したトレンチ分離構造において、絶縁膜8は、ゲート電極22に所定のバイアス電圧を印加した状態で、トレンチ6の上端コーナ部近傍におけるキャリア濃度が、活性領域の中央のキャリア濃度以下になるような縦断面形状を有する。この構造により、トレンチ分離端における電界集中が緩和され、サブスレッショルド特性の向上を図ることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板の主表面の活性領域間の境界に沿って延びるように、前記半導体基板の主表面から所定の深さにかけて形成されたトレンチに、絶縁膜を埋め込み形成することによって前記活性領域間を分離するトレンチ分離構造を有する半導体装置であって、前記絶縁膜の上には、ゲート酸化膜を介在させて、前記トレンチの形成方向と交差する方向に延びるようにゲート電極が設けられ、前記絶縁膜は、前記ゲート電極に所定のバイアス電圧を印加した状態で、前記トレンチの前記活性領域側端部におけるキャリア濃度が、前記活性領域の中央のキャリア濃度以下になるような、前記ゲート電極が延びる方向の該ゲート電極直下の鉛直断面形状を有する、トレンチ分離構造を備えた半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/76 N
, H01L 29/78 301 R
