特許
J-GLOBAL ID：200903003529819794
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-128958
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326563
出願日： 1992年05月21日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【目的】本発明は微細化に適したゲ-ト電極を有する化合物半導体電界効果型トランジスタを提供することを目的とする。【構成】半絶縁性GaAs基板10上にアンド-プGaAs層11アンド-プAlGaAs層(図示せず)、n形AlGaAs層12、n形GaAs層13が順次形成され、メサエッチングされている。オ-ミックコンタクトとなるドレイン電極15及びソ-ス電極16が形成される。ショットキ-ゲ-トとなるゲ-ト電極18はn形AlGaAs層12とショットキ-障壁を直接形成するゲ-ト電極の下部電極部分とSiO2 膜14上に形成される上部電極部分とからなる。該上部電極部分はドレイン電極部分のみに形成される。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板と、該化合物半導体基板上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜の開口を通して上記化合物半導体基板に設けられたソ-ス及びドレイン電極と、上記絶縁膜の開口を通して上記化合物半導体とショットキ-障壁を形成する下部電極部分と、該下部電極部分と連続して上部に形成され、かつ上記絶縁膜上に形成される上部電極部分とからなるゲ-ト電極とを備え、上記上部電極部分が非対称断面構造を有することを特徴とする化合物半導体電界効果型トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
H01L 29/80 F
, H01L 29/80 H
