特許
J-GLOBAL ID：200903003530982097
半導体評価装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
岩本 久美子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-083004
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277581
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：
【要約】【課題】 半導体表面に積極的に絶縁層を設けることなく、試料表面と探針が非接触でキャリア濃度と、表面準位密度と、試料と探針間の絶縁体中に存在する電荷密度の定量測定を実現することができる半導体評価装置を提供する。【解決手段】 先端部を導電性材料で形成した探針と、探針を試料との間でXYZの各方向に相対的に移動可能な探針ホルダーと、探針ホルダーを試料に対して相対的に移動させる手段と、探針と試料間に電圧を印加する接続手段と、試料と探針の相対距離を周期的に変化させた時に誘起される変位電流を検出する変位電流検出手段と、検出された変位電流の探針と試料間電圧依存性に基づき、測定点の表面の半導体のキャリア濃度と、表面準位密度と、試料と探針間の絶縁体中に存在する電荷密度と、を定量的に評価する手段を具備する半導体評価装置。
請求項（抜粋）：
少なくとも先端部を導電性材料で形成した探針と、該探針を一端側に取り付けると共に、試料との間でXYZの各方向に相対的に移動可能な探針ホルダーと、前記探針ホルダーを前記試料に対して相対的に移動させる手段と、前記探針と前記試料間に電圧を印加する接続手段と、前記試料と前記探針の相対距離を周期的に変化させた時に誘起される変位電流を検出する変位電流検出手段と、該検出された変位電流の前記探針と前記試料間電圧依存性に基づき、該測定点の表面の半導体のキャリア濃度と、表面準位密度と、前記試料と前記探針間の絶縁体中に存在する電荷密度と、を定量的に評価する手段を具備することを特徴とする半導体評価装置。
Fターム (16件)：
4M106AA10
, 4M106AA20
, 4M106BA14
, 4M106CA11
, 4M106CB02
, 4M106CB07
, 4M106CB30
, 4M106DH01
, 4M106DH11
, 4M106DH16
, 4M106DH60
, 4M106DJ03
, 4M106DJ04
, 4M106DJ05
, 4M106DJ11
, 4M106DJ23
