特許
J-GLOBAL ID：200903003533161809
窒化物系化合物半導体結晶の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-162605
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012555
出願日： 1996年06月24日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：
【要約】【課題】 有機金属成長法の成長条件であるガス導入口でのガス供給条件を同一としても、基板上に作製した窒化物系化合物半導体の結晶品質は、反応管の形状やガス導入方法の違いにより異なる問題があった。【解決手段】 基板から垂直方向の位置x=1mmでの流速を0.5m/sec以上の高流速に設定し、ガス流速の微分係数を0.3sec<SP>-1</SP>以上かつ0mm<x≦5mmの範囲でV/III比を1000以上とすることによって加熱領域での熱対流を減少させ、中間生成物の形成と基板表面への降下を押さえることができるので良好な窒化物半導体化合物結晶が得られる。
請求項（抜粋）：
III族原料ガス及びV族原料ガスが含まれるガスを供給して、基板上に有機金属気相成長させる窒化物系化合物半導体結晶の製造方法に於いて、前記基板表面からの垂直方向への距離をxとすると、前記基板からの距離x=1mmの位置において、前記ガスの流速がV≧0.5m/secで、前記ガスの流速の微分係数が(dV/dx)≧0.3sec<SP>-1</SP>となる条件であり、且つ、前記III族原料ガスに対する前記V族原料ガスのモル比をyとする時、0mm<x≦5mmの範囲においてy≧1000となる条件で、前記ガスを基板に沿って流すことを特徴とする窒化物系化合物半導体結晶の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C30B 29/38
, H01L 33/00
, C30B 25/14
H01L 21/205
, C30B 29/38 Z
, H01L 33/00 C
, C30B 25/14
