特許

J-GLOBAL ID：200903003537343863

薄膜シリコンダイオード及び半導体装置

発明者： 高橋 博 ,  村松 重利
出願人/特許権者： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-319642
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163506
出願日： 1996年11月29日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：

【要約】【課題】 寄生容量等を小さくして信号線の負荷容量低減を図る。【解決手段】 絶縁層3上に接するシリコン製膜(例えば、多結晶シリコン膜4)に形成された相互に隣接し、互いに逆導電型の2つの導電膜領域4a,4bによる薄膜ダイオードが構成され、各導電膜領域4a,4bにはそれぞれ配線層7又は8が接続されている。このSOI型の薄膜ダイオードは、寄生容量が極めて小さく、また接合容量も比較的に小さいので、これをスイッチング素子として用いると、半導体装置(例えば、ダイオードROM,PLA,シフトレジスタ等)の信号線負荷容量が大幅に低減され、これら半導体装置の高速化および低消費電力化が進展する。

請求項（抜粋）：

絶縁層上に接するシリコン製膜に形成された相互に隣接し、互いに逆導電型の2つの導電膜領域からなり、各導電膜領域のそれぞれに配線層が接続されている薄膜シリコンダイオード。

IPC (4件)：

H01L 29/861 ,  H01L 21/82 ,  H01L 27/10 431 ,  H03K 19/177

FI (4件)：

H01L 29/91 E ,  H01L 27/10 431 ,  H03K 19/177 ,  H01L 21/82 A