特許
J-GLOBAL ID：200903003542384977

フッ素樹脂レジストの分子設計方法

発明者：
山崎 民雄

山崎 民雄 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-140006
公開番号（公開出願番号）：特開2005-322795
出願日： 2004年05月10日
公開日（公表日）： 2005年11月17日
要約：
【課題】 157nmリソグラフィにおけるフッ素樹脂レジストの透明性を向上させるためのレジスト分子の設計手法を提供する。【解決手段】 フッ素含有樹脂の骨格を抽出したモデル分子の構造を決定し、次いでこのモデル分子に結合している水素原子をフッ素原子に置換したフッ素置換モデル分子を決定する。このフッ素置換モデル分子について、分子軌道法を用いて分子軌道係数を算出した後、前記過程によって得られた分子軌道係数から、最低励起エネルギー値を算出し、前記最低励起エネルギー値から当該フッ素置換モデル分子の真空紫外光領域における吸収を評価する。これによってフッ素樹脂レジストの分子設計を行う。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
フッ素含有樹脂の骨格を抽出したモデル分子の構造を決定する過程と、 このモデル分子に結合している水素原子をフッ素原子に置換したフッ素置換モデル分子を決定する過程と、 このフッ素置換モデル分子について、分子軌道法を用いて分子軌道係数を算出する過程と、 前記過程によって得られた分子軌道係数から、最低励起エネルギー値を算出する過程と、 前記最低励起エネルギー値から当該フッ素置換モデル分子の真空紫外光領域における吸収を評価する過程とを少なくとも備えたことを特徴とするフッ素樹脂レジストの分子設計方法。
IPC (4件)：
H01L21/027 ,  C08F32/00 ,  G03F7/039 ,  G03F7/26
FI (4件)：
H01L21/30 502R ,  C08F32/00 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/26 501
Fターム (19件)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025BJ10 ,  2H025CB08 ,  2H025CB41 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096EA05 ,  4J100AR11P ,  4J100BB07P ,  4J100CA01 ,  4J100DA62 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • ポジ型レジスト組成物
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-339439   出願人：富士写真フイルム株式会社

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