特許
J-GLOBAL ID：200903003545641202
固体高分子電解質の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-209763
公開番号（公開出願番号）：特開2003-020308
出願日： 2001年07月10日
公開日（公表日）： 2003年01月24日
要約：
【要約】【課題】 耐酸化性に優れた固体高分子電解質を、製造時の安全性を確保しつつ、簡便かつ低コストに製造する方法を提供する。【解決手段】 固体高分子電解質の製造方法を、炭化水素系高分子にスルホニルハライド基を導入してハロスルホン化炭化水素系高分子を得るハロスルホン化工程と、前記ハロスルホン化炭化水素系高分子を、反応性官能基およびキレート性官能基を有する化合物を溶媒に溶解または分散させた反応性キレート化合物溶液に浸漬することで、該反応性官能基と導入された前記スルホニルハライド基の一部のものとを反応させ、それらに化学結合を形成させることにより該キレート性官能基を導入するキレート性官能基導入工程と、キレート性官能基が導入された前記ハロスルホン化炭化水素系高分子を、加水分解液に浸漬することで、導入された前記スルホニルハライド基の残部のものを加水分解してスルホン酸基とするスルホン酸基導入工程とを含んで構成する。
請求項（抜粋）：
炭化水素系高分子に、電解質基となるスルホン酸基と、金属イオンをキレート捕集するキレート性官能基とを化学結合により導入した固体高分子電解質の製造方法であって、前記炭化水素系高分子にスルホニルハライド基を導入してハロスルホン化炭化水素系高分子を得るハロスルホン化工程と、前記ハロスルホン化炭化水素系高分子を、反応性官能基およびキレート性官能基を有する化合物を溶媒に溶解または分散させた反応性キレート化合物溶液に浸漬することで、該反応性官能基と導入された前記スルホニルハライド基の一部のものとを反応させ、それらに化学結合を形成させることにより該キレート性官能基を導入するキレート性官能基導入工程と、キレート性官能基が導入された前記ハロスルホン化炭化水素系高分子を、加水分解液に浸漬することで、導入された前記スルホニルハライド基の残部のものを加水分解してスルホン酸基とするスルホン酸基導入工程と、を含んでなる固体高分子電解質の製造方法。
IPC (5件)：
C08F 8/00
, H01B 13/00
, H01M 8/02
, C25B 13/08 302
, H01M 8/10
C08F 8/00
, H01B 13/00 Z
, H01M 8/02 P
, C25B 13/08 302
, H01M 8/10
4J100BA55H
, 4J100BA57H
, 4J100BA63H
, 4J100HC71
, 4J100HC75
, 4J100HG07
, 4J100HG09
, 4J100JA43
, 5H026AA06
