特許
J-GLOBAL ID：200903003546449402
試料保持機,半導体製造装置,半導体検査装置,回路パタ-ン検査装置,荷電粒子線応用装置,校正用基板,試料の保持方法,回路パタ-ン検査方法、および、荷電粒子線応用方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-111790
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040481
出願日： 1999年04月20日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：
【要約】【課題】試料の端部の電子線の照射位置と試料位置との関係の精度の低下を防止して、加工,分析や検査ができるようにする。【解決手段】試料台の中央部における偏向補正量の試料表面の高さ依存性を試料の外周部と比較して、該試料外周部の特有の歪み量を得、これを外周部の標準マーク信号から除去して偏向補正量の高さ依存性を算出し、中央部で得られる偏向補正量と等価的な補正量を求め、外周部の標準マークのみから偏向補正テーブルを作成する。
請求項（抜粋）：
一次荷電粒子線を収束し試料の回路パターンの第1,第2の領域を走査偏向する照射光学系と、上記一次荷電粒子線を減速すると共に、その照射により試料から発生する二次荷電粒子および反射電子を加速する加減速手段と、上記試料を保持する試料台と、上記試料への一次荷電粒子線の照射位置の表面高さを計測するセンサと、上記試料から発生する荷電粒子を検出する検出器と、上記検出信号から上記試料の照射領域の画像を形成する画像形成手段とを有する回路パターン検査装置において、上記試料台を基板設置部の外周部に上記一次荷電粒子線のビーム軸方向の厚みの異なる少なくとも二面の標準マーク試料を設置できる構成とし、該標準マーク試料と少なくとも二面の基板設置部の中央部標準マーク試料の画像信号を記憶する記憶手段と、該二面の標準マーク画像信号から外周部特有の一次荷電粒子線の歪み量を演算する演算手段と、上記外周部標準マーク画像信号から上記外周部特有の歪み量を除去する除去手段と、当該歪み量除去後の外周部標準マーク画像信号から試料高さに応ずる偏向補正用テーブルを作成・記憶する記憶手段と、上記センサで得た表面高さの信号に応じて上記偏向補正用テーブルから偏向補正信号を取り出す偏向補正信号発生回路と、上記外周部標準マーク試料を所望タイミングで照射し、上記偏向補正用テーブルを更新させる制御手段とを具備することを特徴とする回路パターン検査装置。
IPC (3件)：
H01J 37/147
, H01J 37/20
, H01L 21/68
H01J 37/147 B
, H01J 37/20 A
, H01L 21/68 G
