特許

J-GLOBAL ID：200903003546515014

表面導電性窒化アルミニウム基体およびその製造方法

発明者： 浅井 博紀 ,  門馬 旬
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-284671
公開番号（公開出願番号）：特開平7-138086
出願日： 1993年11月15日
公開日（公表日）： 1995年05月30日
要約：

【要約】【目的】 薄膜配線等の薄膜形成技術による金属薄膜の接合強度およびパターニング性を向上させた表面導電性窒化アルミニウム基体およびその製造方法を提供する。【構成】 窒化アルミニウム基体1の表面1aに平滑化処理を施した後に、その表面1aをホウ酸カリウム水溶液やリン酸ナトリウム水溶液等の弱酸水溶液、または弱アルカリ水溶液でエッチング処理する。このエッチング処理により、窒化アルミニウム基体1の薄膜形成面1aを全体的には平滑な面で構成すると共に、分散的に窒化アルミニウムの微小突起4を形成する。この後、微小突起4を有する窒化アルミニウム基体1の表面1aに、薄膜形成技術により金属薄膜5を形成する。

請求項（抜粋）：

窒化アルミニウム基体と、前記窒化アルミニウム基体の表面に設けられた金属薄膜とを有する表面導電性窒化アルミニウム基体において、前記窒化アルミニウム基体の前記金属薄膜の形成面は、全体的には平滑な面で構成されていると共に、分散的に設けられた窒化アルミニウムの微小突起を有することを特徴とする表面導電性窒化アルミニウム基体。

IPC (3件)：

C04B 41/88 ,  C04B 41/91 ,  H01L 21/02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭61-271894
  
• 特開昭63-047382
  
• 特開昭62-176975