特許
J-GLOBAL ID：200903003548378820
半導体レーザ素子の選別方法、および光ヘッド装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
横沢 志郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-059029
公開番号（公開出願番号）：特開2007-242664
出願日： 2006年03月06日
公開日（公表日）： 2007年09月20日
要約：
【課題】耐COD特性を非破壊で検査することにより、耐COD特性が低い半導体レーザ素子を確実に排除可能な半導体レーザ素子の選別方法、および光ヘッド装置の製造方法を提供すること。【解決手段】半導体レーザ素子10の製造後、あるいは光出射側の端面および反対側の端面にコーティング層16、17を形成した後、測定工程で、選別対象となる半導体レーザ素子10の逆方向電圧-逆方向電流特性の測定を行う。次に、選別工程では、逆方向電圧-逆方向電流特性の測定結果において、逆方向電圧を印加したときの逆方向電流レベルが低い半導体レーザ素子10を良品として選別する。このようにして選別された半導体レーザ素子10はいずれも、耐COD特性に優れている。【選択図】図1
請求項１：
選別対象となる半導体レーザ素子の逆方向電圧-逆方向電流特性の測定を行う測定工程と、
当該測定結果において、逆方向電圧を印加したときの逆方向電流レベルが低い半導体レーザ素子、あるいは逆方向電流を印加したときの逆方向電圧が高い半導体レーザ素子を良品として選別する選別工程と
を有することを特徴とする半導体レーザ素子の選別方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (3件)：
5F173AR99
, 5F173SC05
, 5F173ZP01
