特許

J-GLOBAL ID：200903003549892684

半導体装置の製造方法

発明者： 大塚 達也 ,  齋藤 勉 ,  庄村 和江
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  富士通ヴィエルエスアイ株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-065456
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267246
出願日： 1992年03月24日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】 シリコン窒化膜のエッチングに関し,レジストの耐エッチング性を向上させ精密にかつ下地酸化膜を損なうことなく転写することを目的とする。【構成】 基板1上のシリコン窒化膜3の選択的イオンエッチングにより,レジストパターン4を該窒化膜3に転写する方法において,雰囲気ガスを, SF6 ,HBr,He及びO2 の混合ガス,又はその混合ガスに少なくともN2 ,フロンガス,NF3 及び不活性ガスの一つを混合して用い,平行平板型のRIE装置を用いてエッチングするように構成し,及び窒化膜3のパターニング後,エッチングガス中に水素ガスを混入したガス,又はSF6 と水素ガスとの混合ガスを雰囲気ガスとし,平行平板型のRIE装置を用いてイオンエッチングして,レジストパターン4の表面に形成された変質層4aを除去するように構成し,及び窒化膜3は酸化膜2上に堆積されるように構成する。

請求項（抜粋）：

基板(1)上に形成されたシリコン窒化膜(3)を該窒化膜(3)上に形成されたレジストパターン(4)をマスクとし選択的にイオンエッチングして,該レジストパターン(4)を該窒化膜(3)に転写する工程を有する半導体装置の製造方法において,該イオンエッチングの雰囲気ガスとして, SF6 ,HBr,He及びO2 を混合した第一のエッチング用ガス又は該第一のエッチング用ガスに少なくともN2,フロンガス,NF3 及び不活性ガスのうちの一つを混合した第二のエッチング用ガスの何れかが用いられ,該イオンエッチングは,平行平板型のRIE(反応性イオンエッチング)装置を用いてすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-145725
  
• 特開平2-166733
  
• 特開平2-226722