特許
J-GLOBAL ID：200903003554794232
高インプラ抵抗の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-073015
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243500
出願日： 1992年02月26日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【目的】 BTによる抵抗値変化の小さい高インプラ抵抗を得ることを目的とする。【構成】 P型の高インプラ抵抗層上部にイオン注入により濃度が1011〜1012イオン/cm2 オーダーの浅いN型の拡散層を形成することを特徴とするものである。
請求項（抜粋）：
第1導電型のエピタキシャル層又は基板にイオン注入によりシート抵抗が3kΩ/□以上の第1導電型と反対の第2の導電型の高インプラ抵抗層を形成し、該高インプラ抵抗層上部にイオン注入により濃度が1011〜1012イオン/cm2 オーダーの浅い第1導電型の拡散層を形成することを特徴とする高インプラ抵抗の製造方法。
引用特許：
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