特許
J-GLOBAL ID：200903003559579887
多結晶シリコン薄膜の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡澤 英世 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-085565
公開番号（公開出願番号）：特開平7-277721
出願日： 1994年03月31日
公開日（公表日）： 1995年10月24日
要約：
【要約】【目的】 多結晶シリコン薄膜の製造法と、その多結晶シリコン薄膜を使用した光起電力装置の提供。【構成】 ハロゲン含有ケイ素化合物を原料として、これを溶融塩中で電気分解して基板上に多結晶シリコン薄膜を形成させる。
請求項（抜粋）：
ハロゲン含有ケイ素化合物を原料とし、該原料を電気分解することにより基板上に多結晶シリコン膜を形成することを特徴とする多結晶シリコン膜の製造方法。
IPC (4件)：
C01B 33/03
, C01B 33/02
, C25C 3/34
, H01L 31/04
