特許

J-GLOBAL ID：200903003559618394

配線形成方法

発明者： 田口 充 ,  井上 肇
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-116686
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176615
出願日： 1994年05月30日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：

【要約】【目的】 Al系材料による配線の形成に当たって、EM耐性の高い配線が得られ、Al系材料の表面荒れが低減して表面モフォロジーを改善でき、フォトレジスト工程でのハレーション等を防止でき、配線の信頼性が改善でき、平坦化も容易になる配線形成方法の提供。【構成】 ?@Ti等のTi型材料4下地上にAl系材料5を形成する際、Ti型材料は高温スパッタTi、成膜後加熱TiなどAl系材料に対して整合性の良い結晶配向性を強化する手段によって形成する。?AAl系材料の(111)配向性を、下地Ti(002)配向性をTi膜厚やTi成膜条件等により強化することによって強化し、Al系材料の表面モフォロジーを改善する。

請求項（抜粋）：

Ti型材料下地上にAl系材料を形成する工程を含む配線形成方法であって、Ti型材料はAl系材料に対して整合性の良い結晶配向性を強化する手段によって形成することを特徴とする配線形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/90 B ,  H01L 21/88 N