特許
J-GLOBAL ID：200903003563367940
受光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-196058
公開番号（公開出願番号）：特開平7-050429
出願日： 1993年08月06日
公開日（公表日）： 1995年02月21日
要約：
【要約】【目的】高感度、高速応答の優れた特性を有する受光素子及びその製造方法を提供すること。【構成】上記目的は、二組の半導体 pn 接合により挟まれた領域に上記 p 型及び n 型半導体領域よりも不純物濃度の低い半導体領域を形成し、この低不純物濃度領域を隔てて、上記 p 型領域同士及び n 型領域同士がそれぞれ正対している構造を単位構造としたことを特徴とする受光素子とすること、及び、シャッター制御あるいはイオンビーム装置等を用いた製造方法とすることによって達成することができる。これによって、各領域を構成する半導体材料や厚さ及び不純物濃度を最適化することにより、例えば変調ドープ構造を用いた場合には図4に示したようなバンド構造の形成が可能で、光生成されたキャリアは主として低不純物濃度領域を伝導するため、ライフタイム及び移動度が増加する等の効果で高感度、高応答速度の受光素子を得ることができる。
請求項（抜粋）：
二組の半導体 pn 接合により挟まれた領域に上記 p 型及び n 型半導体領域よりも不純物濃度の低い半導体領域を形成し、この低不純物濃度領域を隔てて、上記 p 型領域同士及び n 型領域同士がそれぞれ正対している構造を単位構造としたことを特徴とする受光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/10 A
, H01L 31/04 A
