特許
J-GLOBAL ID：200903003564359208
スパッタリングターゲット及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-012549
公開番号（公開出願番号）：特開2002-294439
出願日： 2002年01月22日
公開日（公表日）： 2002年10月09日
要約：
【要約】【課題】 焼結体の作製時にクラックや割れが発生せず、製造歩留りが高く、かつ大電力でのスパッタを行っても割れが発生しない相変化記録媒体の保護膜形成に有用なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。【解決手段】 Zn、S、Si及びOからなる焼結体であって、焼結体内の密度のばらつきを所定値以下とした焼結体、すなわち、焼結体の任意の2点における相対密度の差の絶対値が3%以内である焼結体を用いてスパッタリングターゲットを構成する。また、焼結体の作成において、焼結圧力を段階的に増加させて加圧焼結を行なう。
請求項（抜粋）：
硫化亜鉛及び二酸化ケイ素を主成分とする焼結体からなるスパッタリングターゲットにおいて、前記焼結体の任意の2点における相対密度の差の絶対値が3%以内であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
IPC (2件)：
C23C 14/34
, G11B 7/26 531
C23C 14/34 A
, G11B 7/26 531
4K029BA46
, 4K029BA51
, 4K029BA64
, 4K029BD12
, 4K029CA05
, 4K029DC05
, 4K029DC09
, 5D121AA04
, 5D121EE03
, 5D121EE09
, 5D121EE11
