特許
J-GLOBAL ID：200903003568259909
半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-136359
公開番号（公開出願番号）：特開平6-350198
出願日： 1993年06月08日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：
【要約】【目的】 格子定数が活性層と半導体基板の中間的な値の半導体薄膜を活性層に接して設けることにより、歪み活性層の界面にかかる応力を低減して、結晶欠陥の導入を防止し、寿命の長い半導体発光素子を得る。【構成】 GaAs基板1より格子定数の大きいGaInAsウェル層14に接して、格子定数がウェル層とGaAsバリア層15あるいはGaAsガイド層12の中間的な値のAlGaInAs緩和層が設けられている。この構成によって歪みウェル層の界面にかかる応力が低減され、発光素子の劣化の原因となる結晶欠陥が導入されるのを防止し、長寿命な素子を得ることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、この半導体基板と格子定数が異なる活性層と、前記半導体基板に格子整合する半導体多層膜とが、前記活性層を挟んで積層された半導体多層構造を備えてなり、格子定数が前記活性層と前記半導体多層膜との中間的な値の半導体薄膜である緩和層が前記活性層に接して設けられたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
引用特許：
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