特許

J-GLOBAL ID：200903003568859779

ウェハからチップを個別化する方法

発明者： フランツ ネプル
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-135219
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074130
出願日： 1994年05月25日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：

【要約】【目的】 特にシリコンウェハにおいてシリコン処理技術の標準的IC製造設備でウェハから容易にチップを個別化するための単純化された方法を提供する。【構成】 チップ3間にトレンチ7をSOI基板1の絶縁層2までエッチングにより形成し、チップのSiO2 層4を不活性化するためにスペーサ6を形成し、最後に絶縁層2をエッチング除去することによりチップを個別化する。

請求項（抜粋）：

ウェハのチップを備えている側からチップ間にトレンチをエッチングし、次にチップを載せている材料をチップが個別化されるまで除去するようにしたウェハからチップを個別化する方法において、ウェハとしてSOI基板(1)を使用し、チップ(3)をこのSOI基板のシリコン層内に形成し、SOI基板の絶縁層(2)まで達するトレンチ(7)をチップ間にエッチングし、チップが個別化されるように絶縁層(2)を選択的エッチングにより除去することを特徴とするウェハからチップを個別化する方法。