半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-012409
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203921
出願日： 1995年01月30日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【目的】本発明は、電流検出端子付きの絶縁ゲート型バイポーラトランジスタを用いてなる電力用素子において、電流検出端子に現れる電流を正しく検出できるようにすることを最も主要な特徴とする。【構成】たとえば、MOS型半導体ペレット17Aの表面に、ソース制御電極取り出し領域22と電流検出電極取り出し領域23とを近接させ、かつ、平行に設ける。また、3層ガラス・エポキシ樹脂系基板15に、ソース電位引き出し端子電極32と電流検出端子電極33とを近接させ、かつ、平行に配置する。そして、上記領域22と上記端子電極32との間、および領域23と端子電極33との間を、最短長のボンディング・ワイヤ62,63によってそれぞれ接続する。こうして、検出電流に作用する、ボンディング・ワイヤ62,63相互のエリア75の面積の減少を図る構成となっている。

請求項（抜粋）：

MOS型ゲート構造を有する半導体チップを外囲器上に搭載してなる半導体装置において、前記半導体チップの表面に、ゲート制御電極取り出し領域、ソース制御電極取り出し領域、ソース主電流通電電極取り出し領域、および電流検出電極取り出し領域のうち、少なくとも前記ソース制御電極取り出し領域および前記電流検出電極取り出し領域が近接して配置され、かつ、前記ソース制御電極取り出し領域と前記外囲器のソース制御外部端子との間、および前記電流検出電極取り出し領域と前記外囲器の電流検出外部端子との間をそれぞれ接続する配線が、ほぼ同じ長さで平行に近接して配置されてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/336 , H01L 21/60 301 , H01L 23/52 , H01L 25/07 , H01L 25/18 , H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 29/78 658 L , H01L 23/52 D , H01L 25/04 C , H01L 29/78 652 Q

前のページに戻る