半導体装置の製造方法及び半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人アイ・ピー・エス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-085225
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282567
出願日： 2002年03月26日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】酸化膜に窒素原子を適切に導入することにより、絶縁膜のリーク電流を抑制する。【解決手段】筒状電極及び磁力線形成手段を有する形式のプラズマ処理装置が用いられる。Kr/O2プラズマ16を生成し、半導体基板10に酸化膜14を形成する。この酸化膜14を形成したのと同じプラズマ装置を連続して用い、窒素プラズマ18を生成し、酸化膜14を窒化し、酸窒化膜20を形成する。この酸窒化膜20の膜厚が25Å以下であり、窒素濃度のピークが20〜40%であり、酸窒化膜20と半導体基板10との界面の窒素濃度が3%以下である。

請求項（抜粋）：

処理室と、該処理室周囲に配置された筒状電極及び磁力線形成手段とを有するプラズマ処理装置を用い、前記筒状電極に高周波電力を印加しながら前記処理室に処理ガスとして窒素ガスを供給及び排気して、プラズマ活性な窒素ガスにより処理室内に配置された表面が酸化されている基板を窒化処理することにより酸窒化膜を形成し、該酸窒化膜の膜厚が25Å以下であり、該酸窒化膜の窒素濃度のピークが20〜40%であり、該酸窒化膜と前記基板との界面の窒素濃度が3%以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/318 , H05H 1/16 , H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/318 C , H05H 1/16 , H01L 29/78 301 G

Fターム (25件)：

5F058BA01 , 5F058BC11 , 5F058BD15 , 5F058BF73 , 5F058BF74 , 5F058BJ01 , 5F140AA05 , 5F140AA24 , 5F140AA28 , 5F140AB03 , 5F140AB09 , 5F140AC01 , 5F140AC32 , 5F140BA01 , 5F140BC06 , 5F140BD09 , 5F140BD15 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BE09 , 5F140BF04 , 5F140BG28 , 5F140CB01 , 5F140CB02 , 5F140CB04

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