特許

J-GLOBAL ID：200903003584867943

ハイブリッド型非接触ICカード

発明者： 岡村 秀人
出願人/特許権者： 東京特殊電線株式会社
代理人 (1件)： 有近 紳志郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-031801
公開番号（公開出願番号）：特開2004-240899
出願日： 2003年02月10日
公開日（公表日）： 2004年08月26日
要約：

【課題】信頼性が高く、近接磁界方式および無線方式の双方で利用することが出来るハイブリッド型非接触ICカードを提供する。【解決手段】近接磁界型モジュール20は、データ記憶機能を有するICチップ22および高周波磁界を受けるコイル23を含み、コイル23を通じてデータを送受可能である。無線型モジュール30は、データ記憶機能を有するICチップ32および電波を送受するアンテナ33を含みアンテナ33を通じてデータを送受可能である。この近接磁界型モジュール20および無線型モジュール30からなるICカードモジュール10に、薄板51A,51Bを接着して、ハイブリッド型非接触ICカード50を形成する。【効果】接点部の汚損や摩耗による接触不良が起こらず、信頼性を高めることが出来、近接磁界方式および無線方式のいずれでも利用出来るので、利用者の利便性を高めることが出来る。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

データ記憶機能を有する第1のICチップおよび高周波磁界を受けるコイルを含み該コイルを通じてデータを送受可能な近接磁界型モジュールと、データ記憶機能を有する第2のICチップおよび電波を送受するアンテナを含み該アンテナを通じてデータを送受可能な無線型モジュールとをカード状の板材に内蔵し、近接磁界方式および無線方式で使用可能であることを特徴とするハイブリッド型非接触ICカード。

IPC (4件)：

G06K19/07 ,  B42D15/10 ,  G06K19/077 ,  G06K19/08

FI (4件)：

G06K19/00 H ,  B42D15/10 521 ,  G06K19/00 K ,  G06K19/00 F

Fターム (8件)：

2C005MA33 ,  2C005NA08 ,  2C005NA09 ,  5B035BA03 ,  5B035BB09 ,  5B035CA01 ,  5B035CA08 ,  5B035CA23