特許

J-GLOBAL ID：200903003591769841

ビアホール及びスルーホールを有する基板のめっき方法

発明者： 本間 英夫 ,  三浦 修平 ,  小山田 仁子
出願人/特許権者： 本間 英夫 ,  荏原ユージライト株式会社
代理人 (1件)： 小野 信夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-052070
公開番号（公開出願番号）：特開2003-253490
出願日： 2002年02月27日
公開日（公表日）： 2003年09月10日
要約：

【要約】【課題】 ビアホール及びスルーホールが混在する基板において、簡単な操作で、ビアホール内に効率よくビアフィリングを形成し、かつスルーホール内にも均一に金属を析出することができる技術を提供すること。【解決手段】 ビアホール及びスルーホールを有する基板を導電化処理した後、酸性銅めっきを行うめっき方法において、酸性銅めっきを次の条件(1)および(2)で順次行うことを特徴とするビアホール及びスルーホールを有する基板のめっき方法。(1) 陰極電流密度5〜10A/dm2で10秒〜5分間(2) 陰極電流密度0.5〜3A/dm2で15〜180分間

請求項（抜粋）：

ビアホール及びスルーホールを有する基板を導電化処理した後、酸性銅めっきを行うめっき方法において、酸性銅めっきを次の条件(1)および(2)で順次行うことを特徴とするビアホール及びスルーホールを有する基板のめっき方法。(1) 陰極電流密度5〜10A/dm2で10秒〜5分間(2) 陰極電流密度0.5〜3A/dm2で15〜180分間

IPC (6件)：

C25D 7/00 ,  C25D 3/38 ,  C25D 5/18 ,  C25D 5/34 ,  H05K 3/42 610 ,  H05K 3/46

FI (6件)：

C25D 7/00 J ,  C25D 3/38 ,  C25D 5/18 ,  C25D 5/34 ,  H05K 3/42 610 B ,  H05K 3/46 N

Fターム (44件)：

4K023AA19 ,  4K023BA06 ,  4K023BA08 ,  4K023BA26 ,  4K023BA29 ,  4K023CB03 ,  4K023CB05 ,  4K023CB13 ,  4K023CB21 ,  4K023CB28 ,  4K023CB33 ,  4K023DA07 ,  4K024AA09 ,  4K024AB02 ,  4K024AB08 ,  4K024AB09 ,  4K024AB17 ,  4K024BA11 ,  4K024BB11 ,  4K024BC01 ,  4K024CA02 ,  4K024CA06 ,  4K024DA10 ,  4K024GA16 ,  5E317AA24 ,  5E317BB02 ,  5E317BB12 ,  5E317CC32 ,  5E317CC33 ,  5E317CC35 ,  5E317CD32 ,  5E317GG01 ,  5E317GG16 ,  5E346AA42 ,  5E346AA43 ,  5E346CC09 ,  5E346CC32 ,  5E346FF04 ,  5E346FF07 ,  5E346FF15 ,  5E346GG15 ,  5E346GG17 ,  5E346HH07 ,  5E346HH33