特許

J-GLOBAL ID：200903003593392435

半導体整流素子およびその使用方法

発明者： 桜井 敬二
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-067667
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218389
出願日： 1992年03月26日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】ショットキー接合型ダイオードとPN接合型ダイオードを複合した場合の逆回復特性を良好にする。【構成】第一導電型の第一領域の表面層に分散して設けられてPN接合を形成する第二導電型の第二領域の金属層との接触面積を、第一領域に接触してショットキーバリアを形成する面積を含む金属層の総接触面積の50%より小さく、5%より大きくすることにより、ショットキー接合部の特性が支配的になって、逆回復特性はソフトリカバリーになり、同時に低電流領域と大電流領域の双方に低い順電圧降下が得られる。

請求項（抜粋）：

半導体素体の第一導電型の第一領域の表面層に選択的に第二導電型の第二領域が分散して設けられ、表面に第一領域に接触してショットキーバリアを形成し、第二領域とオーミック接触する金属層が被着するものにおいて、金属層の第二領域との接触面積が金属層の半導体素体との総接触面積の50%より小さく5%より大きいことを特徴とする半導体整流素子。

IPC (2件)：

H01L 29/48 ,  H01L 29/91

FI (3件)：

H01L 29/91 K ,  H01L 29/91 D ,  H01L 29/91 J

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-081230
  
• 特開平1-239970
  
• 特開平3-181172