特許
J-GLOBAL ID:200903003599657350
アパーチャを有する非平面電極およびその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴江 武彦 (外4名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-544045
公開番号(公開出願番号):特表平11-514108
出願日: 1998年04月08日
公開日(公表日): 1999年11月30日
要約:
【要約】非平面電極中のアパーチャの位置の正確度は、新しい製造方法を使用して改良される。この方法は、アパーチャを定めるフォトレジストパターンを設けるプロセスステップの前に非平面電極を生成する変形ステップを行う。従って、変形ステップがフォトレジストパターンを空間的に変化させることはない。位置の正確度が改良されたことによって、このプロセスで製造された非平面電極を含むイオンスラスタの性能および寿命が向上される。
請求項(抜粋):
アパーチャを設けられた非平面電極を形成する方法において、 金属製の非平面部材(64)を設け、 前記非平面部材のウェブ部分(80)をフォトレジスト(66)で被覆し、 前記非平面部材をエッチングして前記ウェブ部分の間にアパーチャ(94)を形成し、 前記フォトレジストを除去するステップを含んでいる方法。
IPC (4件):
G03F 7/24
, F03H 1/00
, H01J 27/20
, H01J 37/08
FI (4件):
G03F 7/24 Z
, F03H 1/00 A
, H01J 27/20
, H01J 37/08
引用特許:
審査官引用 (3件)
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特公昭51-003630
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特公昭51-003630
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特公昭51-003630
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